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IRFS7430

更新时间： 2023-09-03 20:30:49

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英飞凌 - INFINEON		/
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13页	304K
描述
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 D2-Pak 封装

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IRFS7430 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	375 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRFS7430 数据手册

StrongIRFET

IRFS7430PbF

IRFSL7430PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

40V

0.97m

1.2m

l Brushed motor drive applications

l BLDC motor drive applications

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

l DC/AC inverters

426A

I_D

(Silicon Limited)

195A

I_D

(Package Limited)

Benefits

l Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt

ruggedness

D²Pak

IRFS7430PbF

TO-262

IRFSL7430PbF

l Fully characterized capacitance and avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

l Lead-free

Gate

Drain

Source

Base Part Number

Package Type

Standard Pack

Form

Tube

Orderable Part Number

Quantity

IRFSL7430PbF

IRFS7430PbF

TO-262

D2-Pak

IRFSL7430PbF

IRFS7430PbF

Tube

Tape and Reel Left

800

IRFS7430TRLPbF

6.0

4.0

2.0

0.0

500

400

300

200

100

= 100A

Limited By Package

= 125°C

= 25°C

12 14 16

18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

Submit Datasheet Feedback November 6, 2014

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