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IRFS720

更新时间: 2024-01-17 01:05:26
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三星 - SAMSUNG 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

IRFS720 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.19
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):240 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (ID):3.3 A
最大漏源导通电阻:1.75 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):13.2 A
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFS720 数据手册

  

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