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IRFS723

更新时间: 2024-01-04 02:49:26
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三星 - SAMSUNG 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

IRFS723 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:350 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2.5 A最大漏源导通电阻:2.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFS723 数据手册

  

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