5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 117 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 80 ns | 最大开启时间（吨）： | 46 ns |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFS733 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR |
获取价格 |
|
| IRFS740 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
获取价格 |
|
| IRFS740A | FAIRCHILD | Advanced Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS740B | FAIRCHILD | 400V N-Channel MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS741 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
获取价格 |
|
| IRFS742 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR |
获取价格 |
|
CD4017数据手册解析：参数分析、引脚说明、功能说明
pcf8563芯片功能说明、参数分析、引脚说明
TDA2822资料手册：引脚说明、参数分析
TJA1050资料数据分析、引脚说明、应用示例介绍
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
