是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.21 |
雪崩能效等级(Eas): | 450 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.54 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT APPLICABLE |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFS740B | FAIRCHILD | 400V N-Channel MOSFET |
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IRFS741 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFS742 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR |
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IRFS743 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFS7430 | INFINEON | 40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 D2-Pak |
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IRFS7430-7P | INFINEON | 40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
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