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IRFS7440PBF

更新时间： 2024-01-09 11:03:53
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英飞凌 - INFINEON 电机驱动
页数 文件大小 规格书
11页 326K
描述
Brushed Motor drive applications

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IRFS7440PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.47
雪崩能效等级（Eas）：238 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：208 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：208 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：772 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS7440PBF 数据手册

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StrongIRFET™  
IRFS7440PbF  
IRFSL7440PbF  
Applications  
l Brushed Motor drive applications  
l BLDC Motor drive applications  
l Battery powered circuits  
l Half-bridge and full-bridge topologies  
l Synchronous rectifier applications  
l Resonant mode power supplies  
l OR-ing and redundant power switches  
l DC/DC and AC/DC converters  
l DC/AC Inverters  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS  
40V  
RDS(on) typ.  
2.0m  
2.5m  
208A  
max.  
G
ID  
S
ID  
120A  
(Package Limited)  
D
D
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
S
S
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
IRFS7440PbF  
IRFSL7440PbF  
l RoHS Compliant containing no Lead, no Bromide,  
and no Halogen  
G
Gate  
D
Drain  
S
Source  
Ordering Information  
Base Part Number  
Package Type  
Standard Pack  
Complete Part Number  
Form  
Quantity  
IRFS7440PbF  
IRFS7440PbF  
IRFSL7440PbF  
D2-Pak  
D2-Pak  
TO-262  
Tube  
Tape and Reel Left  
Tube  
50  
800  
50  
IRFS7440PbF  
IRFS7440TRLPbF  
IRFSL7440PbF  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
240  
200  
160  
120  
80  
I
= 100A  
D
Limited By Package  
T
= 125°C  
J
40  
T
= 25°C  
J
0
4
6
8
10 12 14  
16 18 20  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
T
, Case Temperature (°C)  
C
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
GS,  
Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage  
www.irf.com  
1
October 10, 2012  
1234567...11

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