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IRFS7534PBF

更新时间： 2024-09-25 18:58:03

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Power Field-Effect Transistor

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IRFS7534PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	7.92	雪崩能效等级（Eas）：	775 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A
最大漏极电流 (ID)：	195 A	最大漏源导通电阻：	0.0024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	294 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	944 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS7534PBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFB7534PbF

IRFS7534PbF

IRFSL7534PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

60V

R_DS(on)typ.

max

2.0m

2.4m

232A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

195A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

D²Pak

TO-220AB

TO-262

IRFB7534PbF

IRFSL7534PbF

IRFS7534PbF

Gate

Drain

Source

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRFB7534PbF

IRFSL7534PbF

TO-220

TO-262

Tube

IRFB7534PbF

IRFSL7534PbF

IRFS7534PbF

Tube

IRFS7534PbF

D²-Pak

Tape and Reel Left

800

IRFS7534TRLPbF

250

200

150

100

= 100A

Limited by package

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

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November 27, 2013

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS7534TRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS7534TRL7PP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFS7534TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFS7537	INFINEON	获取价格	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS7537PBF	INFINEON	获取价格	Brushed Motor drive applications
IRFS7537PBF_15	INFINEON	获取价格	Brushed Motor drive applications
IRFS7537TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7540	INFINEON	获取价格	60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package
IRFS7540PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7540TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7730	INFINEON	获取价格	75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

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