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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 7.92 | 雪崩能效等级（Eas）： | 775 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 195 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 195 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 294 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 944 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFS7534TRLPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS7534TRL7PP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRFS7534TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IRFS7537 | INFINEON |
获取价格 |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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| IRFS7537PBF | INFINEON |
获取价格 |
Brushed Motor drive applications |
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| IRFS7537PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed Motor drive applications |
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| IRFS7537TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS7540 | INFINEON |
获取价格 |
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package |
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| IRFS7540PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFS7540TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFS7730 | INFINEON |
获取价格 |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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