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IRFS7540TRLPBF PDF预览

IRFS7540TRLPBF

更新时间： 2024-11-24 19:53:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 660K
描述
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2

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IRFS7540TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
雪崩能效等级（Eas）：313 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：110 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：430 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS7540TRLPBF 数据手册

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StrongIRFET™  
IRFB7540PbF  
IRFS7540PbF  
IRFSL7540PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Application  
 Brushed Motor drive applications  
 BLDC Motor drive applications  
 Battery powered circuits  
 Half-bridge and full-bridge topologies  
 Synchronous rectifier applications  
 Resonant mode power supplies  
 OR-ing and redundant power switches  
 DC/DC and AC/DC converters  
 DC/AC Inverters  
VDSS  
60V  
RDS(on) typ.  
4.2m  
5.1m  
110A  
max  
ID  
D
D
S
Benefits  
S
S
D
G
D
 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness  
 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA  
 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
 Lead-Free, RoHS Compliant  
G
G
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Form  
Base part number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
50  
IRFB7540PbF  
IRFSL7540PbF  
TO-220  
TO-262  
Tube  
IRFB7540PbF  
IRFSL7540PbF  
IRFS7540PbF  
Tube  
50  
Tube  
50  
IRFS7540PbF  
D2-Pak  
Tape and Reel Left  
800  
IRFS7540TRLPbF  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
14  
12  
10  
8
I
= 65A  
D
T
= 125°C  
J
6
4
T
= 25°C  
J
2
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
4
6
8
10 12 14 16 18 20  
T
, Case Temperature (°C)  
C
V
Gate -to -Source Voltage (V)  
GS,  
Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage  
1
www.irf.com  
© 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
November 6, 2014  
1234567...13

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IRFS7540TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS7540PBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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