5秒后页面跳转
IRFS830 PDF预览

IRFS830

更新时间: 2024-11-25 17:15:43
品牌 Logo 应用领域
蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 930K
描述
TO-220F

IRFS830 数据手册

 浏览型号IRFS830的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFS830的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFS830的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFS830的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFS830的Datasheet PDF文件第6页 
IRFS830  
Rev.E Dec.-2015  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-220F 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package.  
特征 / Features  
低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。  
Low gate charge, low crss, fast switching.  
用途 / Applications  
用于高效 DC/DC 转换和功率开关。  
These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power  
supplies.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1G  
PIN 2D  
PIN 3S  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
见印章说明。See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
1 / 6  

与IRFS830相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS830A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Power MOSFET
IRFS830B FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
IRFS830BT FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS831 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS832 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS833 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS840 FAIRCHILD

获取价格

500V N-Channel MOSFET
IRFS840 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS840 FOSHAN

获取价格

TO-220F
IRFS840A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Power MOSFET