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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 124 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 76 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS833 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS840 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| IRFS840 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS840 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220F |
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| IRFS840A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS840B | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS840BF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS840BT | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS841 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR |
|
| IRFS842 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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