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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS842 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS843 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9130 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9131 | ISC |
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isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9132 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9132 | ISC |
获取价格 |
isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9133 | ISC |
获取价格 |
isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9140 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13.2A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9141 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13.2A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9142 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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