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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS9631 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9632 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9633 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS9640 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9641 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS9642 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9643 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9N60A | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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| IRFS9N60A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFS9N60A, SiHFS9N60A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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