IRFS9N60A

更新时间： 2024-01-28 00:52:36

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SMPS MOSFET

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IRFS9N60A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.09	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	9.2 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS9N60A 数据手册

PD - 91817A

SMPS MOSFET

IRFS9N60A

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

600V

R_DS(on) max

I_D

9.2A

l Switch Mode Power Supply ( SMPS )

l Uninterruptable Power Supply

l High Speed Power Switching

0.75Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

G D S

D²Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

9.2

5.8

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

170

W/°C

Linear Derating Factor

1.3

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Applicable Off Line SMPS Topologies:

l Active Clamped Forward

l Main Switch

Notes through ꢀ are on page 9

www.irf.com

9/23/99

12 3 4 5 6 7...9

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