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IRFSL31N20D

更新时间： 2024-11-01 22:13:19

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	193K
描述
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

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IRFSL31N20D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	420 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	31 A	最大漏源导通电阻：	0.082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFSL31N20D 数据手册

PD- 93805B

IRFB31N20D

IRFS31N20D

IRFSL31N20D

SMPS MOSFET

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

200V

R_DS(on)max

I_D

31A

0.082Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

D²Pak

IRFS31N20D

TO-262

IRFSL31N20D

TO-220AB

IRFB31N20D

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

124

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

3.1

Power Dissipation

200

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

2.1

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Typical SMPS Topologies

l Telecom 48V Input Forward Converters

Notes through are on page 11

www.irf.com

2/14/00

12 3 4 5 6 7...11

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