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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFSL38N20DPBF
IRFSL38N20DPBF PDF预览

IRFSL38N20DPBF

更新时间： 2024-02-07 01:55:49
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
页数 文件大小 规格书
11页 716K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFSL38N20DPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-262AA
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：38 A最大漏极电流 (ID)：43 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFSL38N20DPBF 数据手册

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PD - 97001A  
PROVISIONAL  
IRFB38N20DPbF  
IRFS38N20DPbF  
SMPS MOSFET  
IRFSL38N20DPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Key Parameters  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l Plasma Display Panel  
l Lead-Free  
VDS  
V
200  
260  
54  
V
V
m
DS (Avalanche) min.  
R
DS(ON) max @ 10V  
Benefits  
TJ max  
175  
°C  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB38N20DPbF  
IRFS38N20DPbF IRFSL38N20DPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
38*  
27*  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V ‡  
Pulsed Drain Current   
180  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation ‡  
230*  
Linear Derating Factor ‡  
1.5*  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
9.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
Typ.  
–––  
0.50  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47*  
–––  
62  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.50°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature  
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
09/09/05  
1234567...11

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IRFSL38N20DPBF 替代型号

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