5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFSL4020PBF
IRFSL4020PBF PDF预览

IRFSL4020PBF

更新时间： 2024-02-15 20:24:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 327K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFSL4020PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：94 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFSL4020PBF 数据手册

 浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFSL4020PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97393  
IRFS4020PbF  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRFSL4020PbF  
Features  
Key Parameters  
• Key parameters optimized for Class-D audio  
amplifier applications  
VDS  
200  
V
mΩ  
R
DS(ON) typ. @ 10V  
85  
• Low RDSON for improved efficiency  
• Low QG and QSW for better THD and improved  
efficiency  
Qg typ.  
18  
nC  
nC  
Ω
Q
sw typ.  
G(int) typ.  
TJ max  
6.7  
3.2  
175  
R
°C  
• Low QRR for better THD and lower EMI  
• 175°C operating junction temperature for  
ruggedness  
D
S
D
D
• Can deliver up to 300W per channel into 8Ω load in  
half-bridge configuration amplifier  
S
S
D
D
G
G
G
D2Pak  
TO-262  
IRFSL4020PbF  
IRFS4020PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes  
thelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diode  
reverse recovery and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance  
factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction  
temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient,  
robust and reliable device for ClassD audio amplifier applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
200  
±20  
18  
Units  
V
VDS  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
A
13  
52  
Power Dissipation  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
100  
52  
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.70  
W/°C  
°C  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
-55 to + 175  
TSTG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
1.43  
40  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case  
RθJC  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
Rθ  
JA  
Notes  through ꢀare on page 2  
www.irf.com  
1
05/14/09  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRFSL4020PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFSL4115 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFSL4115PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFSL4127 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFSL4127PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFSL41N15D INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRFSL41N15DPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFSL41N15DTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFSL4020PBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证