是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 61 A | 最大漏极电流 (ID): | 61 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0139 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 250 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFSL4610 | INFINEON |
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IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 |
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IRFSL4610PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFSL4610TRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFSL4610TRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFSL4615PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFSL4620PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFSL4710 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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IRFSL4710PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRFSL52N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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IRFSL52N15DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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