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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 61 A | 最大漏极电流 (ID)： | 61 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0139 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL4610 | INFINEON |
获取价格 |
IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 |
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| IRFSL4610PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4610TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL4610TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFSL4615PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL4620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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| IRFSL4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFSL52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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| IRFSL52N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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