Datasheet > IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF

更新时间： 2024-11-02 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	387K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFSL4115PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	830 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	99 A
最大漏极电流 (ID)：	99 A	最大漏源导通电阻：	0.0121 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	375 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	396 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFSL4115PBF 数据手册

PD - 96198

IRFS4115PbF

IRFSL4115PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

V_DSS

R_DS(on)typ.

150V

10.3m

12.1m

99A

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

max.

I_D

(Silicon Limited)

Benefits

I_{D (Package Limited)}

195A

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak

IRFS4115PbF

TO-262

IRFSL4115PbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Parameter

Max.

Units

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Wire Bond Limited)

Pulsed Drain Current

195

396

375

2.5

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery

dv/dt

T_J

V/ns

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

°C

300

10lb in (1.1N m)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy

E_{AS (Thermally limited)}

220

Avalanche Current

I_AR

See Fig. 14, 15, 22a, 22b,

Repetitive Avalanche Energy

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.4

Units

R_θJC

Junction-to-Case

°C/W

R_θJA

–––

Junction-to-Ambient

www.irf.com

11/11/08

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IRFSL4115PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFSL4127	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFSL4127PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFSL41N15D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRFSL41N15DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFSL41N15DTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL41N15DTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL4227PBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFSL4228PBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology

与IRFSL4115PBF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF 技术参数

IRFSL4115PBF 数据手册

与IRFSL4115PBF相关器件

与IRFSL4115PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFSL4115PBF

IRFSL4115PBF 技术参数

IRFSL4115PBF 数据手册

与IRFSL4115PBF相关器件

与IRFSL4115PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？