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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFSL38N20D
IRFSL38N20D PDF预览

IRFSL38N20D

更新时间： 2024-11-01 22:13:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 135K
描述
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)

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IRFSL38N20D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：460 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：44 A
最大漏源导通电阻：0.054 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFSL38N20D 数据手册

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PD - 94358  
IRFB38N20D  
IRFS38N20D  
SMPS MOSFET  
IRFSL38N20D  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
VDSS  
200V  
RDS(on) max  
ID  
44A  
0.054Ω  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB38N20D  
IRFS38N20D  
IRFSL38N20D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
44  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
32  
180  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.8  
W
Power Dissipation  
320  
Linear Derating Factor  
2.1  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
9.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.47  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface †  
Junction-to-Ambient†  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient‡  
–––  
40  
Notes  through ‡ are on page 11  
www.irf.com  
1
12/12/01  
1234567...11

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IRFSL38N20D 替代型号

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