5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 80 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 310 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL3607PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL3806PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
|
| IRFSL38N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) |
|
| IRFSL38N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL4010 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFSL4010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRFSL4020PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFSL4115 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 150V, 0.0121ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRFSL4115PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFSL4127 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
