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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL11N50 | ETC |
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| IRFSL11N50A | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFSL11N50APBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL17N20D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) |
|
| IRFSL17N20DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL23N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) |
|
| IRFSL23N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRFSL23N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A) |
|
| IRFSL23N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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