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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 195 A | 最大漏源导通电阻： | 0.00175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1310 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL3006PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL3107 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL3107PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL31N20D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
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| IRFSL31N20DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
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| IRFSL3206 | INFINEON |
获取价格 |
60V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 |
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| IRFSL3206PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL3207 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL3207PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFSL3207Z | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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