生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.65 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 42 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFS9Z34 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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IRFSL11N50 | ETC |
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IRFSL11N50A | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A | VISHAY | Power MOSFET |
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IRFSL11N50APBF | INFINEON | HEXFET Power MOSFET |
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IRFSL17N20D | INFINEON | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) |
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