Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS9N60ATRRPBF

IRFS9N60ATRRPBF

更新时间： 2024-11-02 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	166K
描述
Power MOSFET

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IRFS9N60ATRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	9 weeks	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.2 A
最大漏极电流 (ID)：	9.2 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	170 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS9N60ATRRPBF 数据手册

IRFS9N60A, SiHFS9N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gresults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.75

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

APPLICATIONS

D²PAK (TO-263)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES

• Active Clamped Forward

N-Channel MOSFET

• Main Switch

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFS9N60APbF

D²PAK (TO-263)

IRFS9N60ATRRPbF^a

SiHFS9N60ATR-E3^a

IRFS9N60ATRR^a

SiHFS9N60ATR^a

IRFS9N60ATRLPbF^a

SiHFS9N60ATL-E3^a

IRFS9N60ATRL^a

SiHFS9N60ATL^a

Lead (Pb)-free

SiHFS9N60A-E3

IRFS9N60A

SnPb

SiHFS9N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

9.2

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

290

9.2

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

170

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 6.8 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 9.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 50 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91287

S-Pending-Rev. A, 22-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRFS9N60ATRRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB10NK60ZT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH T
STB9NK60ZT4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK

与IRFS9N60ATRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS9Z30	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFS9Z34	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRFSL11N50	ETC	获取价格
IRFSL11N50A	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFSL11N50APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFSL17N20D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A)
IRFSL17N20DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFSL23N15D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15DPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET

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