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IRFS9N60ATRR

更新时间： 2024-02-01 17:55:03

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	166K
描述
Power MOSFET

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IRFS9N60ATRR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.09	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	9.2 A
最大漏源导通电阻：	0.75 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS9N60ATRR 数据手册

IRFS9N60A, SiHFS9N60A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gresults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.75

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

APPLICATIONS

D²PAK (TO-263)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES

• Active Clamped Forward

N-Channel MOSFET

• Main Switch

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFS9N60APbF

D²PAK (TO-263)

IRFS9N60ATRRPbF^a

SiHFS9N60ATR-E3^a

IRFS9N60ATRR^a

SiHFS9N60ATR^a

IRFS9N60ATRLPbF^a

SiHFS9N60ATL-E3^a

IRFS9N60ATRL^a

SiHFS9N60ATL^a

Lead (Pb)-free

SiHFS9N60A-E3

IRFS9N60A

SnPb

SiHFS9N60A

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

9.2

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

290

9.2

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

170

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 6.8 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 9.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 50 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91287

S-Pending-Rev. A, 22-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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与IRFS9N60ATRR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFS9N60ATRRPBF	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
IRFS9Z30	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRFS9Z34	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
IRFSL11N50	ETC		获取价格
IRFSL11N50A	INFINEON	HEXFET Power MOSFET	获取价格
IRFSL11N50A, SiHFSL11N50A	VISHAY	Power MOSFET	获取价格

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