5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 30 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFS9642 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
| IRFS9643 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A | INFINEON | SMPS MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A, SiHFS9N60A | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60APBF | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
