5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 30 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRFS9643 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A | INFINEON | SMPS MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60A, SiHFS9N60A | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60APBF | VISHAY | Power MOSFET |
获取价格 |
|
| IRFS9N60APBF | INFINEON | SMPS MOSFET |
获取价格 |
|
深入解析AD9833：DDS频率合成器的卓越性能与广泛应用
高性能TDA7293音频功率放大器技术特性与应用分析
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
