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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 10.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS9143 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9240 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9241 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9520 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9521 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9522 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9523 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9530 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9531 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9533 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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