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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS9241 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9520 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9521 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9522 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9523 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9530 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9531 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRFS9533 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9540 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS9541 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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