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IRFS9132

更新时间： 2024-01-15 19:26:42

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无锡固电 - ISC		局域网晶体管
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2页	266K
描述
isc P-Channel MOSFET Transistor

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IRFS9132 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	6.9 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS9132 数据手册

isc P-Channel MOSFET Transistor

IRFS9132

FEATURES

·Drain Current –I_D=-6.9A@ T_C=25℃

·Drain Source Voltage-

: V_DSS=-100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: R_DS(on)=0.4Ω(Max)

·100% avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_DSS

V_GS

PARAMETER

VALUE

-100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage-Continuous

Drain Current-Continuous

±20

-6.9

I_D

P_D

Total Dissipation @T_C=25℃

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

150

℃

T_J

-55~150

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

℃/W

R_{th j-c}

Thermal Resistance, Junction to Case

2.98

isc website：www.iscsemi.com

isc & iscsemi is registered trademark

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