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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 161 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 104 ns | 最大开启时间（吨）： | 56 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS843 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS9130 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9131 | ISC |
获取价格 |
isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS9132 | ISC |
获取价格 |
isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9133 | ISC |
获取价格 |
isc P-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFS9140 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 13.2A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9141 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13.2A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS9142 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS9143 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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