5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS840A
IRFS840A PDF预览

IRFS840A

更新时间： 2024-11-26 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 266K
描述
Advanced Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFS840A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.28Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：647 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.6 A最大漏极电流 (ID)：4.6 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS840A 数据手册

 浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFS840A的Datasheet PDF文件第7页 
IRFS840A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 500 V  
RDS(on) = 0.85 W  
ID = 4.6 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 10 mA (Max.) @ VDS = 500V  
Lower RDS(ON) : 0.638 W (Typ.)  
TO-220F  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Value  
500  
4.6  
Units  
VDSS  
V
ID  
A
oC  
Continuous Drain Current (TC=100  
)
2.9  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
32  
A
V
1
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
30  
2
O
647  
4.6  
4.4  
3.5  
44  
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25o  
mJ  
V/ns  
W
1
O
3
O
)
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
Linear Derating Factor  
0.35  
W/oC  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 ” from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
R q  
--  
--  
2.86  
62.5  
Junction-to-Case  
JC  
oC  
/W  
R q  
Junction-to-Ambient  
JA  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRFS840A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS840B FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFS840BF FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
IRFS840BT FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS841 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR
IRFS842 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS843 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS9130 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFS9131 ISC

获取价格

 		isc P-Channel MOSFET Transistor
IRFS9132 SAMSUNG

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFS9132 ISC

获取价格

 		isc P-Channel MOSFET Transistor

与IRFS840A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证