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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS830 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS830 | FOSHAN |
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TO-220F |
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| IRFS830A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS830B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| IRFS830BT | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS831 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 450V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS832 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS833 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS840 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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| IRFS840 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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