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IRFS830A

更新时间： 2024-11-05 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 258K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRFS830A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.31Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：374 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.1 A最大漏极电流 (ID)：3.1 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS830A 数据手册

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IRFS830A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 500 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 1.5  
ID = 3.1 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
TO-220F  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V  
W
Lower RDS(ON) : 1.169 (Typ.)  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100o  
V
500  
3.1  
2
ID  
A
)
C
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
18  
A
V
1
O
+
Gate-to-Source Voltage  
_
30  
2
O
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
374  
3.1  
3.8  
3.5  
38  
mJ  
A
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TC=25o  
mJ  
V/ns  
W
1
O
3
O
)
C
PD  
TJ , TSTG  
TL  
Linear Derating Factor  
0.3  
W/oC  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
- 55 to +150  
300  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
--  
--  
3.31  
62.5  
Junction-to-Case  
JC  
oC/W  
Rq  
Junction-to-Ambient  
JA  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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