是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.14 | 雪崩能效等级(Eas): | 1025 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 195 A |
最大漏极电流 (ID): | 195 A | 最大漏源导通电阻: | 0.002 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 375 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 760 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRFS7530-7P | INFINEON | 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
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IRFS7530-7PPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor |
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IRFS7530PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFS7530TRL7PP | INFINEON | Power Field-Effect Transistor |
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IRFS7530TRLPBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IRFS7534 | INFINEON | 60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |
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