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IRFS7534-7PPBF

更新时间： 2024-01-27 06:25:24

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	521K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRFS7534-7PPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	773 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	240 A
最大漏极电流 (ID)：	240 A	最大漏源导通电阻：	1.95 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263CB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	790 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS7534-7PPBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFS7534-7PPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed motor drive applications

 BLDC motor drive applications

 Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC inverters

V_DSS

R_DS(on)typ.

max

60V

1.60m

1.95m

255A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

240A

Benefits

 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

 Fully characterized capacitance and avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

 Lead-free, RoHS compliant

Gate

Drain

Source

Base Part Number

Package Type

Standard Pack

Complete Part Number

Form

Tube

Quantity

IRFS7534-7PPbF

IRFS7534TRL7PP

IRFS7534-7PPbF

D²Pak-7PIN

Tape and Reel Left

800

300

250

200

150

100

= 100A

Limited By Package

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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November 5, 2014

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IRFS7534-7PPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS3006TRL7PP	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7534TRL7PP	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor

与IRFS7534-7PPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS7534PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFS7534TRL7PP	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFS7534TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFS7537	INFINEON	获取价格	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS7537PBF	INFINEON	获取价格	Brushed Motor drive applications
IRFS7537PBF_15	INFINEON	获取价格	Brushed Motor drive applications
IRFS7537TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7540	INFINEON	获取价格	60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package
IRFS7540PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS7540TRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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