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IRFS7437TRLPBF

更新时间： 2024-02-21 22:31:59

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HEXFETPower MOSFET

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IRFS7437TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.05	雪崩能效等级（Eas）：	802 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A
最大漏极电流 (ID)：	195 A	最大漏源导通电阻：	0.0018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1000 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS7437TRLPBF 数据手册

StrongIRFET

IRFS7437PbF

Applications

IRFSL7437PbF

l Brushed Motor drive applications

l BLDC Motor drive applications

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

l DC/AC Inverters

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS

40V

R_DS(on)typ.

max.

1.4mΩ

1.8mΩ

I_D

250A

(Silicon Limited)

I_D

195A

(Package Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

D²Pak

TO-262

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

IRFSL7437PbF

IRFS7437PbF

l Halogen-Free

Gate

Drain

Source

Ordering Information

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Tube

Tape and Reel Left

Complete Part

Number

IRFSL7437PbF

IRFS7437PbF

IRFS7437TRLPbF

Quantity

IRFSL7437PbF

IRFS7437PbF

TO-262

D2Pak

800

250

200

150

100

LIMITED BY PACKAGE

= 100A

= 125°C

= 25°C

4.0

6.0

8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0

, Gate-to-Source Voltage (V)

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

September06,2012

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