Datasheet > IRFS7434

IRFS7434

更新时间： 2024-01-12 11:29:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	310K
描述
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 D2-Pak 封装

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFS7434 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	1.04	雪崩能效等级（Eas）：	1098 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	320 A
最大漏极电流 (ID)：	195 A	最大漏源导通电阻：	0.0016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	294 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	780 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFS7434 数据手册

StrongIRFET

IRFS7434PbF

IRFSL7434PbF

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l Brushed Motor drive applications

l BLDC Motor drive applications

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

l DC/AC Inverters

V_DSS

40V

R_DS(on)typ.

max.

1.25m

1.6m

320A

I_D

(Silicon Limited)

195A

I_D

(Package Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

D²Pak

TO-262

IRFSL7434PbF

Ruggedness

IRFS7434PbF

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

Gate

Drain

Source

Ordering Information

Standard Pack

Form

Base part number

Package Type

Complete Part Number

Quantity

IRFSL7434PbF

IRFS7434PbF

TO-262

D2Pak

Tube

Tape and Reel Left

800

IRFSL7434PbF

IRFS7434PbF

IRFS7434TRLPbF

350

300

250

200

150

100

= 100A

Limited By Package

= 125°C

T = 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Submit Datasheet Feedback November 19, 2014

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

12 3 4 5 6 7...13

下载PDF

与IRFS7434相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFS7434-7P	INFINEON	40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa	获取价格
IRFS7434-7PPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel	获取价格
IRFS7434PBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IRFS7434TRL7PP	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel	获取价格
IRFS7437	INFINEON	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim	获取价格
IRFS7437-7P	INFINEON	The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil	获取价格