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IRFS7437-7PPBF

更新时间： 2024-01-13 19:04:46

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11页	277K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRFS7437-7PPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	231 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

IRFS7437-7PPBF 数据手册

StrongIRFET

IRFS7437-7PPbF

Applications

HEXFET^®Power MOSFET

l Brushed Motor drive applications

l BLDC Motor drive applications

l PWM Inverterized topologies

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Electronic ballast applications

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

V_DSS

40V

R_DS(on)typ.

max.

1.1m

1.4m



I_D

295A

(Silicon Limited)

I_D

195A

(Package Limited)

Benefits

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

l Lead-Free

D²Pak 7 Pin

l Halogen Free

Gate

Drain

Source

Ordering Information

Base Part Number

Package Type

Standard Pack

Form

Complete Part

Number

Quantity

Tube

Tape and Reel Left

800

IRFS7437-7PPbF

IRFS7437TRL7PP

IRFS7437-7PPbF

D2Pak-7PIN

4.0

3.0

2.0

1.0

300

250

200

150

100

= 100A

Limited By Package

T = 125°C

= 25°C

10 12 14

16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

September 6, 2012

12 3 4 5 6 7...11

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