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IRFS740A

更新时间： 2024-02-09 16:41:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
7页	266K
描述
Advanced Power MOSFET

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IRFS740A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
雪崩能效等级（Eas）：	450 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS740A 数据手册

N-CHANNEL

POWER MOSFET

IRFS740A

Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform

“ Current Regulator ”

V_GS

Same Type

as DUT

50KW

Q_g

12V

200nF

10V

300nF

V_DS

Q_gs

Q_gd

V_GS

DUT

R₂

3mA

R₁

Charge

Current Sampling (I_G) Current Sampling (I_D)

Resistor Resistor

Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms

R_L

V_out

V_in

V_out

90%

V_DD

( 0.5 rated V_DS

)

R_G

DUT

10%

V_in

10V

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

t _on

t _off

Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

BV_DSS

L_L

I_D

----

--------------------

E_AS

L_LI_AS

BV_DSS-- V_DD

V_DS

BV_DSS

I_AS

Vary t_pto obtain

required peak I_D

R_G

I_D(t)

V_DD

DUT

V_DS(t)

V_DD

10V

t _p

Time

1 2 3 456 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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