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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS740A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFS740B | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| IRFS741 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS742 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220VAR |
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| IRFS743 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS7430 | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅 D2-Pak |
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| IRFS7430-7P | INFINEON |
获取价格 |
40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 7引脚 D2-Pa |
|
| IRFS7430-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRFS7430PBF | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
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| IRFS7430PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed motor drive applications |
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