IRFS730A

更新时间： 2024-01-02 12:23:01

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	267K
描述
Advanced Power MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFS730A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRFS730A 数据手册

IRFS730A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 400 V

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

R_DS(on)= 1.0

I_D= 3.9 A

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220F

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V_DS= 400V

Lower R_DS(ON): 0.765 (Typ.)

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

400

3.9

2.5

Continuous Drain Current (T_C=25

)

I_D

Continuous Drain Current (T_C=100

Drain Current-Pulsed

)

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

348

3.9

3.8

4.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25

Linear Derating Factor

)

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.3

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Typ.

Max.

Units

R_q

3.31

62.5

Junction-to-Case

R_q

Junction-to-Ambient

Rev. B

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与IRFS730A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFS730B	FAIRCHILD	400V N-Channel MOSFET	获取价格
IRFS730B	KERSEMI	400V N-Channel MOSFET	获取价格
IRFS731	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-220VAR	获取价格
IRFS732	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220VAR	获取价格
IRFS733	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220VAR	获取价格
IRFS740	SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格