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IRFS710A

更新时间： 2024-02-07 11:37:14

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7页	261K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| TO-220AB

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IRFS710A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	TO-220F, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	3.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	23 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS710A 数据手册

IRFS710A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 400 V

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

R_DS(on)= 3.6

I_D= 1.6 A

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220F

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V_DS= 400V

Low R_DS(ON): 2.815 (Typ.)

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

Units

V_DSS

400

1.6

Continuous Drain Current (T_C=25 C)

I_D

Continuous Drain Current (T_C=100

Drain Current-Pulsed

)

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

117

1.6

2.3

4.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25

Linear Derating Factor

)

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.19

W/ C

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R _qJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

5.37

62.5

Junction-to-Case

R _q

Junction-to-Ambient

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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