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IRFS710A

更新时间： 2024-02-10 21:36:23
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7页 261K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB

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IRFS710A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：3.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：23 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFS710A 数据手册

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N-CHANNEL  
POWER MOSFET  
IRFS710A  
O
C
Electrical Characteristics (TC=25 unless otherwise specified)  
Symbol  
Characteristic  
Min. Typ. Max. Units  
Test Condition  
m
BVDSS  
VGS=0V,ID=250 A  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temp. Coeff.  
Gate Threshold Voltage  
V
400 --  
--  
O
BV/ T  
D
D
I =250 A  
See Fig 7  
m
V/  
C
J
-- 0.53 --  
D
VGS(th)  
V
DS=5V,ID=250 mA  
VGS=30V  
GS=-30V  
VDS=400V  
DS=320V,TC=125  
V
2.0  
--  
--  
--  
4.0  
Gate-Source Leakage , Forward  
Gate-Source Leakage , Reverse  
100  
IGSS  
nA  
V
--  
-- -100  
--  
--  
--  
10  
IDSS  
Drain-to-Source Leakage Current  
m
A
O
C
V
--  
100  
Static Drain-Source  
On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
W
W
4
RDS(on)  
VGS=10V,ID=0.8A  
VDS=50V,ID=0.8A  
--  
--  
3.6  
O
gfs  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
4
O
1.14 --  
215 280  
VGS=0V,VDS=25V,f =1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
42  
17  
30  
40  
90  
35  
14  
--  
35  
13  
11  
15  
38  
13  
10  
1.8  
5.4  
pF  
See Fig 5  
VDD=200V,ID=2A,  
RG=24 W  
ns  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
See Fig 13  
4
5
O O  
Qg  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain(“ Miller” ) Charge  
V
DS=320V,VGS=10V,  
Qgs  
Qgd  
nC  
ID=2A  
4
--  
See Fig 6 & Fig 12  
5
O O  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Symbol  
Characteristic  
Continuous Source Current  
Pulsed-Source Current  
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Min. Typ. Max. Units  
Test Condition  
IS  
ISM  
VSD  
trr  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
1.6  
6
Integral reverse pn-diode  
A
1
in the MOSFET  
O
O
V
4
O
--  
1.5  
--  
T =25 ,I =1.6A,VGS=0V  
C
J S  
O
ns  
224  
TJ=25 C,IF=2A  
m
C
Qrr  
m
diF/dt=100A/ s  
-- 0.87 --  
Notes ;  
Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature  
1
O
L=80mH, IAS=1.6A, VDD=50V, RG=27W , Starting TJ =25oC  
2
O
ISD _ 2A, di/dt 80A/ s, VDD_BVDSS , Starting TJ =25 o  
3
_
<
m
C
<
<
O
_
<
4
Pulse Test : Pulse Width = 250 ms, Duty Cycle 2%  
O
Essentially Independent of Operating Temperature  
5
O
1234567

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