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IRFS710A

更新时间： 2024-01-17 17:14:55

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7页	261K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 1.6A I(D) \| TO-220AB

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IRFS710A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	TO-220F, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.6 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	3.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	23 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFS710A 数据手册

N-CHANNEL

POWER MOSFET

IRFS710A

Fig 1. Output Characteristics

Fig 2. Transfer Characteristics

V_GS

Top :

1 5 V

1 0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

Bottom : 4.5 V

150 ^o

-1

25 ^o

@ Notes :

1. V = 0 V

@ Notes :

1. 250 s Pulse Test

2. V = 50 V

- 55^o

3. 250 s Pulse Test

2. T_C= 25^o

-2

-1

V_GS, Gate-Source Voltage [V]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current

Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage

= 10 V

-1

= 20 V

@ Notes :

1. V = 0 V

150

2. 250 s Pulse Test

@ Note : T = 25

0.6

-2

0.2

0.4

0.8

1.0

1.2

I , Drain Current [A]

V_SD, Source-Drain Voltage [V]

Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage

Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage

400

300

200

100

_iss= C_gs+ C_gd( C_ds= shorted )

_DS= 80 V

_DS= 200 V

_DS= 320 V

C_oss= C_ds+ C

C_rss= C

C _iss

@ Notes :

1. V_GS= 0 V

C _oss

2. f = 1 MHz

C _rss

@ Notes : I_D= 2.0 A

8 10

Q , Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

1 234 5 6 7

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