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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS644A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS644B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS645 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS650A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS650B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS650B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS654 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS654A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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| IRFS654B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS710A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-220AB |
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