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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.29 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS640B_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS640B_FP001 | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
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| IRFS641 | SAMSUNG |
获取价格 |
Improved inductive ruggedness |
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| IRFS642 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS644 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-220VAR |
|
| IRFS644A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS644B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS645 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS650A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS650B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
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