5秒后页面跳转
IRFS625 PDF预览

IRFS625

更新时间: 2024-11-16 18:48:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN

IRFS625 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):83 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.9 A最大漏极电流 (ID):2.9 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:30 W最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):13 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):52 ns最大开启时间(吨):53 ns
Base Number Matches:1

IRFS625 数据手册

  

与IRFS625相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS630 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS630A FAIRCHILD

获取价格

Advanced Power MOSFET
IRFS630B FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel MOSFET
IRFS631 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS632 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFS634 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS634A SAMSUNG

获取价格

Advanced Power MOSEFT
IRFS634B KERSEMI

获取价格

250V N-Channel MOSFET
IRFS634B FAIRCHILD

获取价格

250V N-Channel MOSFET
IRFS635 SAMSUNG

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me