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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 83 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 52 ns | 最大开启时间（吨）： | 53 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS630 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| IRFS630B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS631 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFS632 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFS634 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS634A | SAMSUNG |
获取价格 |
Advanced Power MOSEFT |
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| IRFS634B | KERSEMI |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS634B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
|
| IRFS635 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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