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IRFS634A

更新时间: 2024-11-15 21:53:47
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 317K
描述
Advanced Power MOSEFT

IRFS634A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F
包装说明:TO-220F, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.71雪崩能效等级(Eas):210 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (Abs) (ID):5.8 A
最大漏极电流 (ID):5.8 A最大漏源导通电阻:0.45 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):38 W最大脉冲漏极电流 (IDM):23 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFS634A 数据手册

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