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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 23 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS634B | KERSEMI |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS634B | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| IRFS635 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS640 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS640 | SAMSUNG |
获取价格 |
Improved inductive ruggedness |
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| IRFS640A | SAMSUNG |
获取价格 |
Improved gate charge |
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| IRFS640A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Rugged Gate Oxide Technology |
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| IRFS640B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS640B | TGS |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS640B | ROCHESTER |
获取价格 |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN |
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