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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS640B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS640B | TGS |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFS640B | ROCHESTER |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN |
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| IRFS640B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS640B_FP001 | ROCHESTER |
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18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN |
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| IRFS641 | SAMSUNG |
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Improved inductive ruggedness |
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| IRFS642 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFS644 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-220VAR |
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| IRFS644A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| IRFS644B | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET |
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